6月30日，全球三星宣布已开始在其位于韩国的星宣芯片性华城工厂大规模生产3nm半导体芯片，性能较5nm芯片更强，布已功耗更低。量产

据悉，提高三星3nm芯片采用的全球GAA（Gate All Around）晶体管架构，通过降低电源电压和增强驱动电流能力来获得更高的星宣芯片性功率效率。三星还在芯片中使用纳米片晶体管，绝地求生辅助布已而通过调整纳米片的量产宽度，三星的提高客户可以根据自己的需要定制功耗和性能。

另外，全球与5nm芯片相比，星宣芯片性三星表示新芯片的布已性能提高了23%，功耗降低了45%，游戏辅助网量产面积减少了16%。提高第二代3nm芯片将提供50%的功率效率提升、30%的性能提升和35%的面积减少。

目前，三星还未公布哪家厂商将首发3nm芯片。